在GaAs衬底上，在GaAsSb的临界厚度内研究以GaAsSb为基区的AlGaAs/GaAsSb/AlGaAs双异质结双极晶体管的分子束外延材料的生长特性，研究As和Sb的耦合机理及不同组分的GaAsSb生长特性，研究P型Be在基区GaAsSb中的扩散行为，同时研究抑制Be向发射极和收集极的扩散，生长出As终止的界面以抑制Sb和As原子在界面的交换以获得界面突变的异质结，生长出高质量的HBT外延材料，研究材料结构对HBT器件的影响，为低功耗高频晶体管的应用打下坚实的基础。