低驱动GaAsSb应变基区双异质结双极晶体管分子束外延材料特性的研究
批准号：
50572120
项目类别：
面上项目
资助金额：
27.0 万元
负责人：
周均铭
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
李志华、刘林生、吴曙东
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
在GaAs衬底上，在GaAsSb的临界厚度内研究以GaAsSb为基区的AlGaAs/GaAsSb/AlGaAs双异质结双极晶体管的分子束外延材料的生长特性，研究As和Sb的耦合机理及不同组分的GaAsSb生长特性，研究P型Be在基区GaAsSb中的扩散行为，同时研究抑制Be向发射极和收集极的扩散，生长出As终止的界面以抑制Sb和As原子在界面的交换以获得界面突变的异质结，生长出高质量的HBT外延材料，研究材料结构对HBT器件的影响，为低功耗高频晶体管的应用打下坚实的基础。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
李志华 王文新* 刘林生 蒋中伟 高汉超 周均铭
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
Growth, antimony incorporation behavior and Beryllium doping of GaAsSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy
通过分子束外延在 GaAs 上生长的 GaAsSb 的生长、锑掺入行为和铍掺杂
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
The growth parameter influence on the crystal quality of InAsSb on GaAs grown by MBE
MBE生长GaAs上生长参数对InAsSb晶体质量的影响
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
Buffer influence on InAs/AlSb quantum wells
缓冲对 InAs/AlSb 量子阱的影响
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
锗硅MBE材料生长及在HBT和红外探测器上的应用
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批准号：69386005
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：8.0万元
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批准年份：1993
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负责人：周均铭
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依托单位：
国内基金
海外基金