课题基金 / 基金详情

高效Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池PN结特性的研究

批准号:
61144002
项目类别:
专项基金项目
资助金额:
15.0 万元
负责人:
刘芳芳
依托单位:
学科分类:
半导体光电子器件与集成
结题年份:
2012
批准年份:
2011
项目状态:
已结题
项目参与者:
李凤岩、周志强、李光眀、王赫、党项瑜

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池作为下一代高效、低成本、高稳定性的新型薄膜太阳电池,成为光伏界的研究热点。改善电池微观特性,进一步提高电池转换效率成为各国研发人员追求的目标。本项目为了进一步提高电池性能,以高效(效率超过15%)的CIGS太阳电池的PN结特性为内容,针对不同成份比例(Cu、Ga元素成份)及不同带隙梯度(Ga元素"双梯度"分布幅度)的CIGS电池进行研究。通过多种测试方法、计算机软件的模拟计算,对制约PN结特性的电学机理(包括材料的缺陷类型、复合类型、能隙工程、内部电场等问题)进行深入的研究,从而系统总结CIGS薄膜电池内部的载流子输运特性。在以上研究基础上,对CIGS吸收层的制备工艺进行优化,减少电池缺陷复合及界面态、增加少子寿命,从而达到提高电池PN结性能的目的,得到转换效率超过18%的CIGS薄膜太阳电池,突破国内纪录,达到国际先进水平。
英文摘要
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池作为下一代高效、低成本、高稳定性的新型薄膜太阳电池,成为光伏界的研究热点。CIGS吸收层是由Cu、In、Ga、Se四种元素合成的半导体薄膜,材料质量直接导致PN结特性的好坏。CIGS吸收层合适的成份比例和带隙分布可以改善PN结电输运性能,减少缺陷和复合,增加有效载流子的输运。本项目首先通过改变Cu、Ga元素的成份比例,研究了成份对电池中的缺陷、复合及二极管特性的影响,确定了合适的成份比例范围。其次,采用改变Ga元素蒸发温度曲线,来改变吸收层中的带隙分布,研究其对界面匹配、内部电场等电学性质及结特性的影响,从而改善了带隙分布,优化了电池性能。最后,通过优化的电池成份比例和带隙分布,制备了高质量的CIGS吸收层,获得了转换效率为15.35%高效率电池,为改善电池PN结特性提供了更多理论指导。
限制高效Cu(In,Ga)2Se2光伏器件性能的微观机制的低温测试分析与模拟研究
  • 批准号:
    61504067
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2015
  • 负责人:
    刘芳芳
  • 依托单位:
国内基金
海外基金