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冶金法制备高纯非导电材料的基础研究

批准号：
50674018
项目类别：
面上项目
资助金额：
35.0 万元
负责人：
李廷举
依托单位：
大连理工大学
学科分类：
材料冶金加工
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
马红军、张守魁、刘福义、张剑、郄喜望
关键词：
高纯多晶硅定向凝固高纯氧化镁晶体电磁场冶金法

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项目成果

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中文摘要
高纯多晶硅是光伏产业和电子行业必须的原材料，主要用化学方法生产，在此过程中会大量地产生硅烷、氯化物等物质，严重污染环境。而且其产能也满足不了光伏产业的需求，开发具有自主知识产权的、环保的、高产的冶金法制备高纯多晶硅技术意义重大。本申请提出用冶金法制备高纯非导电材料的思路。主要以制备高纯多晶硅坯锭为目标，以工业硅为原料，在真空（或保护气氛）下利用电磁感应加热（或电磁感应加热与等离子加热同时使用）直接熔化工业硅，液态硅注入保温炉内后，进行真空定向凝固提纯，去除金属杂质，然后借助于等离子加热，氧化掉非金属杂质，并辅助以冷坩埚电磁悬浮熔炼技术，进一步纯化液体硅，获得一定断面形状的高纯多晶硅坯锭。还将尝试利用此技术制备高纯氧化镁晶体。
英文摘要
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专利列表
超声场湿法提纯冶金级硅的研究
DOI： --
发表时间： --
期刊： 功能材料
影响因子： --
作者： [马晓东, 张剑, 吴亚萍, 李廷举]
通讯作者： 李廷举
冶金法制备太阳能级多晶硅的研究进展
DOI： --
发表时间： --
期刊： 铸造技术
影响因子： --
作者： [李廷举]
通讯作者： 李廷举
Removal of impurities from metallurgical grade silicon by electron beam melting
电子束熔炼去除冶金级硅中的杂质
DOI： 10.1088/1674-4926/32/3/033003
发表时间： 2011-03
期刊： Journal of Semiconductors
影响因子： 5.1
作者： [李廷举]
通讯作者： 李廷举
坩埚设计对多晶硅铸造应力的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊： 铸造技术
影响因子： --
作者： [李廷举]
通讯作者： 李廷举
共 17 条
    钢背/Cu-Pb-Sn双金属复层材料难混溶Pb相调控及界面复合研究
    • 批准号：
      51871041
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      60.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      李廷举
    • 依托单位：
      大连理工大学
    过共晶铝硅合金电磁半连铸过程中初生硅形貌和偏聚的基础研究
    • 批准号：
      51471042
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      84.0万元
    • 批准年份：
      2014
    • 负责人：
      李廷举
    • 依托单位：
      大连理工大学
    层状铝合金复合铸坯连续铸造的基础研究
    • 批准号：
      51271042
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      80.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      李廷举
    • 依托单位：
      大连理工大学
    超（超）临界机组锅炉受热面安全及寿命管理
    • 批准号：
      51134013
    • 项目类别：
      联合基金项目
    • 资助金额：
      220.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      李廷举
    • 依托单位：
      大连理工大学
    国内基金
    海外基金