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Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜形成机理及其性能研究

批准号：
69076409
项目类别：
面上项目
资助金额：
4.3 万元
负责人：
王万录
依托单位：
兰州大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
1993
批准年份：
1990
项目状态：
已结题
项目参与者：
蒋生蕊、李莉、高锦英、李成贤、查立群
关键词：
形成机理光学性质.薄膜半导体

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