现代技术要求电子元器件不断小型化,因而急迫需要用于纳米光刻技术的短波光源，目前半导体工艺中使用的光源将被下一代波长为13.5纳米的极端远紫外（EUV）光源所替代，这是因为后者能够把光刻技术扩展到32纳米以下的特征尺寸。研究工作表明，氙和锑等离子体光源被认为是发射EUV光谱的最佳候选对象。本项目针对这两种等离子体，使用精确原子光谱参数，研究EUV光源等离子体的发射与吸收特性。发展精确的使用细致能级模型的研究方法，特别针对氙、锑建立适合高Z材料的等离子体物理模型，研制发射与吸收特性的计算软件，并着重研究影响等离子体发射和吸收光谱特性的相关物理效应，如组态相互作用特别是芯价电子关联、谱线宽度和相对论效应等。在研究物理效应的基础上，开展并行计算，建立可靠的发射与吸收光谱数据库，为提高激光转换效率的实验设计、等离子体辐射输运等研究提供精密物理参数。