Extreme-ultraviolet emissivity from Xe8+ to Xe12+ by using a detailed line-by-line method
Extreme-ultraviolet emissivity from Xe8+ to Xe12+ by using a detailed line-by-line method
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使用详细的逐线方法测量从 Xe8 到 Xe12 的极紫外发射率
DOI：
10.1140/epjd/e2010-00192-6
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发表时间：
2010-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yuan,Jianmin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gao,Cheng;Zeng,Jiaolong;Yuan,Jianmin
摘要
开发了一个理论模型来计算低密度的发射率
氙等离子体（从 Xe8+ 到 Xe12+），采用详细的生产线
会计形式主义。一套完整的原子数据
例如电（磁）偶极子的跃迁概率
和四重 E1、E2、M1 和 M2 以及电子碰撞激发
碰撞强度，精确到精细结构水平，
使用完整的配置交互形式进行计算
并用于求解速率方程，该方程确定
不同层次的人口。给出了详细结果
纯 Xe10+ 离子，这是极紫外线所必需的
发射波长为 13.5 nm，对于低密度等离子体（电子密度
温度为 30、45、55、65 时为 1012 cm-3)
和 75 eV。不同电离阶段的分数通过
从中性原子到 Xe20+ 的完全耦合速率方程
详细的配置计费方法。结果表明，
过渡阵列偶极子禁线的发射率
Xe10+ 的 4s24p64d75s$\rightarrow$ 4s24p64d8
对温度非常敏感，这应该是一个有用的工具
诊断 EBIT 等离子体的温度。
Abstract
A theoretical model has been developed to calculate the emissivity of low density
xenon plasmas (from Xe8+ to Xe12+) by employing a detailed line
accounting formalism. A complete set of atomic data
such as transition probabilities for electric (magnetic) dipole
and quadruple E1, E2, M1 and M2 and electron impact excitation
collision strength, which is accurate to fine-structure level,
was calculated using a full configuration interaction formalism
and was used to solve the rate equation which determines the
population of different levels. Detailed results are given for
pure Xe10+ ion, which is essential for extreme-ultraviolet
emission at 13.5 nm, and for low density plasmas (the electron density
was taken to be 1012 cm-3) at temperatures of 30, 45, 55, 65
and 75 eV. The fraction of different ionization stages was obtained by a
completely coupled rate equation from neutral atom to Xe20+ by using
a detailed configuration accounting method. The results show that the
emissivity of the dipole forbidden lines of transition array
4s24p64d75s$\rightarrow$ 4s24p64d8 of Xe10+
is very sensitive to the temperature, which should be a useful tool to
diagnose the temperature in EBIT plasmas.
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影响因子：
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作者：
S. Churilov;Y. N. Joshi;J. Reader
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S. Churilov;Y. N. Joshi;J. Reader
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C. Biedermann;R. Radtke;G. Fussmann;J. Schwob;P. Mandelbaum
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K. Fahy;E. Sokell;G. O’Sullivan;A. Aguilar;J. Pomeroy;J. N. Tan;J. Gillaspy
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J. Gillaspy