采用等离子体化学气相沉积PECVD新的含磷电介质膜SiO2P3Nz作为InGaAsP-InP多量子阱新的包封层，经RTA后研究获得量子阱最大带隙兰移条件及膜结构，研究等离子体自由基膜形成机理，膜组分与多量子阱相互作用关系。为制造具有新的电光—光电性能的激光器。调制器—光波导光子集成电路PICs打下基础。为超高速集成电路光互连提供低介电常数薄膜。