新的无杂质诱导InGaAsP-InP多量子阱混合互扩的研究
批准号：
60276013
项目类别：
面上项目
资助金额：
22.0 万元
负责人：
王永晨
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
王永晨、赵杰、李彦、鲁光源、张晓丹、姜卫红、史衍丽、张亮
关键词：
项目摘要
结项摘要
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中文摘要
采用等离子体化学气相沉积PECVD新的含磷电介质膜SiO2P3Nz作为InGaAsP-InP多量子阱新的包封层，经RTA后研究获得量子阱最大带隙兰移条件及膜结构，研究等离子体自由基膜形成机理，膜组分与多量子阱相互作用关系。为制造具有新的电光—光电性能的激光器。调制器—光波导光子集成电路PICs打下基础。为超高速集成电路光互连提供低介电常数薄膜。
英文摘要
用于可调谐InGaAs/InP激光器新的量子阱后置无序技术研究
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批准号：69886001
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：13.5万元
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批准年份：1998
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负责人：王永晨
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依托单位：
国内基金
海外基金