利用SPM技术，通过在SPM针尖上施加常规大小电压的方式诱导LN、LT单晶薄片上极化反转，系统改变环境温度、施加电压的大小、电压形式（直流或不同宽度的脉冲）、作用时间或针尖的扫描速率、相邻极化反转区间距，并利用压电响应和静电力模式考察相应形成的畴区大小、畴区内外的压电特性、畴壁宽度及畴区稳定性等的改变，以获得上述条件对新畴成核、畴壁运动、畴壁应力弛豫等各方面影响的规律，最终获得在LN、LT单晶薄片中实现可控的有序纳米畴阵列的最佳条件，为将光电功能晶体的应用向短波长和小尺寸领域推进提供一种新型微结构可控的光电功能材料及制备方法。