使用Ｎd:YLF四倍频紫外激光以及钛宝石四倍频可调谐紫外激光, 采用H2O2 为化学媒质, 利用光化学方法在SiC材料表面直接进行图案蚀刻, 并在室温下在Si材料表面形成透明SiO2 绝缘膜, 探索新材料的新加工方法及其机理, 有助于解决目前半导体工业中急需解决的问题,对提高我国半导体工业的研究及应用水平有极大大意义, 有重大的应用前景及经济效益。