1.55微米波段全Si波导型光电探测器的研究
批准号：
60776046
项目类别：
面上项目
资助金额：
35.0 万元
负责人：
韩培德
依托单位：
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
庄芳婕、赵春华、陆晓东、全宇军、冉启江、高利朋、曾凡平
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
1.55微米波段全Si波导型光电探测器是利用Si离子注入Si后形成双空位复合物缺陷、价带电子在吸收了光子后跃迁至缺陷深能级上的特点，利用光吸收区长度与载流子漂移互不影响的特点，以弯曲波导为光信号输入、以两端具有分布式Bragg反射光栅的Si本征直波导为谐振吸收区，波导左右两侧分别为p和n型掺杂区，从而构成与CMOS工艺兼容、与Si光电子集成的横向p-i-n光电探测器，对加速硅基单片光电子集成具有重要的现实意义。本课题主要涉及离子注入与双空位复合物的产生，缺陷深能级浓度、位置和空间分布，缺陷红外光吸收及其载流子输运等一系列基础性研究；涉及器件结构设计、Si波导模场分布与光子吸收区和耗尽区之间的匹配、p和n型掺杂、电子束曝光和干法刻蚀等众多工艺在内的器件制备；涉及量子效率与响应度、暗电流与噪声、响应时间、漏电流与灵敏度等器件测试和分析。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI：
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发表时间：
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期刊：
光通信技术，vol.33(5)，pp.38-40，2009
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
《半导体光电》，vol.30(3)，pp.381-384，2009
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1007/s11801-008-8030-6
发表时间：
2008-09
期刊：
Optoelectronics Letters
影响因子：
0.9
作者：
[]
通讯作者：
基于垂直多结结构的大功率激光能量接收器
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批准号：61275040
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项目类别：面上项目
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资助金额：110.0万元
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批准年份：2012
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负责人：韩培德
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依托单位：
基于黑硅材料的高效太阳电池研究
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批准号：60976046
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项目类别：面上项目
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资助金额：50.0万元
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批准年份：2009
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负责人：韩培德
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依托单位：
基于定向波导耦合的二维光子晶体梳状滤波器的研究
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批准号：60477020
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项目类别：面上项目
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资助金额：26.0万元
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批准年份：2004
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负责人：韩培德
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依托单位：
沿不同取向外延生长铟镓氮自组装量子点的研究
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批准号：60086001
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：18.0万元
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批准年份：2000
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负责人：韩培德
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依托单位：
国内基金
海外基金