Study of waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers
Study of waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers
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混合硅激光器波导耦合效率研究
DOI：
10.1007/s11801-008-8030-6
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发表时间：
2008-09
影响因子：
0.9
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
本文提出了一种提高混合硅激光器波导耦合效率的新方法。通过改进InP波导的设计尺寸，我们发现InGaAsP发射层的传输常数可以与硅谐振层的传输常数相等。当键合层厚度为100 nm时，耦合功率达到混合激光器总功率的42%。当粘结层厚度小于5 nm时，我们的结果非常接近Intel报道的总功率的50%。因此，我们的恒定耦合功率技术比英特尔的简单。
This paper presents a new method to increase the waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers. We find that the propagation constant of the InGaAsP emitting layer can be equal to that of the Si resonant layer through improving the design size of the InP waveguide. The coupling power achieves 42% of the total power in the hybrid lasers when the thickness of the bonding layer is 100 nm. Our result is very close to 50% of the total power reported by Intel when the thickness of the thin bonding layer is less than 5 nm. Therefore, our invariable coupling power technique is simpler than Intel’s.
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影响因子：
64.8
作者：
Rong, HS;Jones, R;Paniccia, M
通讯作者：
Paniccia, M
DOI：
10.1017/cbo9780511614255.003
发表时间：
2005
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Jia-Ming Liu
通讯作者：
Jia-Ming Liu
影响因子：
2.6
作者：
Fang, AW;Park, H;Bowers, JE
通讯作者：
Bowers, JE
影响因子：
3.8
作者：
Boyraz, O;Jalali, B
通讯作者：
Jalali, B
影响因子：
3.8
作者：
Park, H;Fang, AW;Bowers, JE
通讯作者：
Bowers, JE