基于极化散射效应的AlGaN/GaN HFET质子辐照原位作用机理研究
批准号：
62374011
项目类别：
面上项目
资助金额：
48.00 万元
负责人：
杨铭
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
杨铭
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负责人：杨铭
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依托单位：
国内基金
海外基金