课题基金基金详情
基于极化散射效应的AlGaN/GaN HFET质子辐照原位作用机理研究
批准号：
62374011
项目类别：
面上项目
资助金额：
48.00 万元
负责人：
杨铭
依托单位：
北京东方计量测试研究所
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
杨铭
关键词：
极化散射效应AlGaN/GaN HFET质子辐照原位作用机理学术科研
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AlGaN/GaN HFET极化散射效应与外界静电场耦合作用机理研究
  • 批准号：
    61904007
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    杨铭
  • 依托单位：
    北京东方计量测试研究所
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