HfO2本征缺陷态对MRAM磁化翻转机理的理论研究
批准号：
--
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30 万元
负责人：
文宏玉
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
--
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
文宏玉
关键词：
HfO2本征缺陷态MRAM磁化翻转机理
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半导体缺陷态和界面态辅助带间隧穿的量子力学机理及其在隧穿晶体管中的应用
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