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硅基有序排列纳米SiC晶粒的制备及其发光特性研究

批准号：
60076007
项目类别：
面上项目
资助金额：
18.0 万元
负责人：
吴兴龙
依托单位：
南京大学
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2003
批准年份：
2000
项目状态：
已结题
项目参与者：
邵达、邹建平、沈今楷、顾沂、谭超、邓树生
关键词：
有序排列纳米SiC发光特性.微结构

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项目成果

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中文摘要
总结硅基无序分布纳米碳化硅晶粒制备和蓝光发射特性的基础上，采用活性原子碳与硅化合生成碳化硅，再用二氧化硅包封形成量子限制的思想在硅基上制备有序排列的碳化硅晶粒构成二维量子点阵列，借助于多种微结构和光学特性研究手段系统地探索这种点状晶体的物理特性和光激发机理，并从理论上模拟计算揭示出产生各种物理现象的本质，寻求在光学器件上的应用。
英文摘要
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专著列表
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专利列表
Blue emission from Si-based (-SiC films
硅基 (-SiC 薄膜) 的蓝光发射
DOI： --
发表时间： --
期刊： Phys. Lett.
影响因子： --
作者： [C. Tan, X. L. Wu, J. Li, X. N. Liu, X. M. Bao]
通讯作者： X. M. Bao
硅基纳米(-SiC量子点列阵的制备
DOI： --
发表时间： --
期刊： 过程工程学报
影响因子： --
作者： [吴兴龙, 顾沂, 鲍希茂]
通讯作者： 鲍希茂
磁电耦合Ni(N2O4)八面体的极化调控及用于超氧离子的可控释放研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    55万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    吴兴龙
  • 依托单位：
    南京大学
超高迁移率二维层状磷化硼的制备及光电特性研究
  • 批准号：
    11874204
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    64.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    吴兴龙
  • 依托单位：
    南京大学
β-FeSi2/石墨烯复合体系光磁调控及癌细胞光磁检测
  • 批准号：
    11674163
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    70.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    吴兴龙
  • 依托单位：
    南京大学
半导体纳米结构表面水的裂解效应及其在能源中的应用
  • 批准号：
    11374141
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    89.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    吴兴龙
  • 依托单位：
    南京大学
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