课题基金基金详情
基于界面电荷调控的高效高频垂直型GaN功率器件研究
批准号：
LR21E070001
项目类别：
省市级项目
资助金额：
--
负责人：
杨树
依托单位：
浙江大学
学科分类：
E01.金属材料
结题年份：
--
批准年份：
2020
项目状态：
未结题
项目参与者：
杨树
关键词：
界面电荷调控 高频 垂直型 GaN功率器件 金属材料
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
集成隧穿二极管的新型垂直氮化镓功率开关管研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    60万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    杨树
  • 依托单位：
    浙江大学
垂直型氮化镓功率MOSFET新结构与沟道特性机理研究
  • 批准号：
    51807175
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    29.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    杨树
  • 依托单位：
    浙江大学
国内基金
海外基金