基于界面电荷调控的高效高频垂直型GaN功率器件研究
批准号:
LR21E070001
项目类别:
省市级项目
资助金额:
万元
负责人:
杨树
依托单位:
学科分类:
金属材料
结题年份:
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批准年份:
2020
项目状态:
未结题
项目参与者:
杨树
集成隧穿二极管的新型垂直氮化镓功率开关管研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:60万元
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批准年份:2020
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负责人:杨树
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依托单位:
垂直型氮化镓功率MOSFET新结构与沟道特性机理研究
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批准号:51807175
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:29.0万元
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批准年份:2018
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负责人:杨树
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依托单位:
国内基金
海外基金