大尺寸高质量碳化硅单晶中位错演变和调控
批准号：
HZSD24E020001
项目类别：
省市级项目
资助金额：
--
负责人：
崔灿
依托单位：
浙江理工大学
学科分类：
E01.金属材料
结题年份：
--
批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
崔灿
关键词：
碳化硅单晶 位错 位错演变 位错调控
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
Ag-In-Yb正二十面体准晶单晶的表面结构和异质薄膜生长
  • 批准号：
    11074220
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    42.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    崔灿
  • 依托单位：
    浙江理工大学
阵列化半导体量子点的制备及其在太阳电池中的应用
  • 批准号：
    60806045
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    崔灿
  • 依托单位：
    浙江理工大学
国内基金
海外基金