面向DC/DC变换器应用的P-GaN栅HEMT器件动态Ron退化机理与栅可靠性问题研究
批准号:
2023JJ40176
项目类别:
省市级项目
资助金额:
万元
负责人:
陶明
依托单位:
学科分类:
电气科学与工程
结题年份:
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批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
陶明
关键词:
基于LPCVD Si3N4双层叠栅结构的GaN MISHEMT栅可靠性研究
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批准号:62104067
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项目类别:青年科学基金项目(C类)
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2021
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负责人:陶明
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依托单位:
国内基金
海外基金