SiC MOSFET单粒子辐照损伤机理与加固结构研究
批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
邓小川
依托单位：
学科分类：
电气科学与工程
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
邓小川
关键词：
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