混合沟道SiC IGBT器件注入增强调制新结构与模型研究
批准号:
--
项目类别:
省市级项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
邓小川
依托单位:
学科分类:
E01.金属材料
结题年份:
--
批准年份:
2019
项目状态:
未结题
项目参与者:
邓小川
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SiC MOSFET单粒子辐照损伤机理与加固结构研究
- 批准号:n/a
- 项目类别:省市级项目
- 资助金额:10.0万元
- 批准年份:2023
- 负责人:邓小川
- 依托单位:
国内基金
海外基金
