氮化铟基化合物半导体量子结构研究
批准号：
60476047
项目类别：
面上项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
戴宪起
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
刘自信、危书义、王广涛、楚兴丽、黄凤珍、琚伟伟、吴新华
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
InN是目前人们最赶兴趣的重要课题，最新研究表明，InN具有0.7-0.8eV的直接带隙，而且它不同于一般半导体，在InN的表面附近有大量的电荷积累。这些特性使得它在电子元件制造中获得良好的金属-半导体接触更为容易，在光电子器件、红外探测器、低成本太阳能电池及短波半导体激光器方面具有诱人的应用前景。该项研究主要从理论上研究缺陷对InN能带结构的影响；不同InN的表面及其与金属、半导体界面结构和电子
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[C. X. Xia, S. Y. Wei]
通讯作者：
S. Y. Wei
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[C. X. Xia, S. Y. Wei]
通讯作者：
S. Y. Wei
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
河南师范大学学报（自然科学版）Vol 33（4），（2005）38-42
影响因子：
--
作者：
[戴宪起, 郑冬梅, 黄凤珍]
通讯作者：
黄凤珍
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
河南师范大学学报（自然科学版）Vol 34（4）, (2006)211
影响因子：
--
作者：
[戴宪起, 阎慧娟, 王建利]
通讯作者：
王建利
Localized Exictions in Self-As
自我作为中的局部激发
自我作为中的局部激发
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xian-Qi Dai, Feng-Zhen Huang a]
通讯作者：
Xian-Qi Dai, Feng-Zhen Huang a
共 42 条
BAs与金属半导体相互作用的研究
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批准号：62074053
-
项目类别：面上项目
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资助金额：59.0万元
-
批准年份：2020
-
负责人：戴宪起
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依托单位：
二维过渡金属硫化物畴界缺陷研究
-
批准号：61674053
-
项目类别：面上项目
-
资助金额：65.0万元
-
批准年份：2016
-
负责人：戴宪起
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依托单位：
国内基金
海外基金