d0前期过渡金属化合物与氧气的反应：微电子器件中高k电介质材料分子形成途径的化学研究

发展新型的高介电常数（high-k）电介质材料以取代沿用至今的二氧化硅作为闸极电介质是当前微电子材料领域所面临的最大技术挑战之一。金属烷氧化合物、硅基化合物和氧气的CVD反应已经用来制备这些材料，但是，CVD反应过程通常比较复杂，其中的机理到目前还不十分清楚。近年来，随着high-k材料的发展，利用d0前期过渡金属化合物和氧气的反应来研究high-k金属氧化物或金属-硅-氧膜形成的化学途径正成为国际上一个新近兴起的热门研究课题。我们的工作将着重于设计和合成新型的过渡金属烷氧基、硅基和氨基化合物，并研究它们和氧气的反应，在核磁、XPS、X-ray单晶衍射等结构表征的基础上，从理论上探索过渡金属化合物的组成、结构与形成这些high-K材料的关系，通过研究从分子前体物到固体材料的化学转变过程，我们将对high-k材料的制备机制有更深入的理解，从而为筛选与合成潜在的high-k材料的提供理论支持。