High-performance lateral MoS2-MoO3 heterojunction phototransistor enabled by in-situ chemical-oxidation
High-performance lateral MoS2-MoO3 heterojunction phototransistor enabled by in-situ chemical-oxidation
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原位化学氧化实现高性能横向MoS2-MoO3异质结光电晶体管
DOI：
10.1007/s40843-019-1259-6
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发表时间：
2020-03
影响因子：
8.1
通讯作者：
Duan Huigao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bi Kaixi;Wan Qiang;Shu Zhiwen;Shao Gonglei;Jin Yuanyuan;Zhu Mengjian;Lin Jun;Liu Huawei;Liu Huaizhi;Chen Yiqin;Liu Song;Duan Huigao
利用均匀材料构建界面清晰的面内pn结是二维晶体管的一个重要问题，在下一代集成电路和光电器件中具有巨大的应用潜力。因此，需要一种可控且简便的方法来实现pn接口。硫化钼（MoS 2）作为一种原子层n型半导体材料在电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景。在这里，我们开发了一种简单可靠的方法，通过KI/I2溶液为基础的化学氧化过程中，在原位将n型MoS 2转化为p型MoO 3，形成横向pn结。横向MoS 2/MoO 3 pn结具有高效的光响应和理想的整流行为，最大外量子效率约为650%，0 V时约为3.6 mA W− 1，光开关比约为102。具有如此高性能的内置pn结的重要性通过高分辨率光电流图进一步证实。由于在低源漏电压（VDS）和低栅压（VG）下具有高的光响应，所形成的MoS 2/MoO 3结pn二极管在低功耗光电器件和逻辑电路中显示出潜在的应用前景。我们的研究结果突出了高性能二硫化钼基电子，光电子和CMOS逻辑电路的本地转换的载体类型的前景。
Construction of in-plane pn junction with clear interface by using homogenous materials is an important issue in two-dimensional transistors, which have great potential in the applications of next-generation integrated circuit and optoelectronic devices. Hence, a controlled and facile method to achieve pn interface is desired. Molybdenum sulfide (MoS2) has shown promising potential as an atomic-layer ntype semiconductor in electronics and optoelectronics. Here, we developed a facile and reliable approach to in-situ transform n-type MoS2 into p-type MoO3 to form lateral pn junction via a KI/I2 solution-based chemical oxidization process. The lateral MoS2/MoO3 pn junction exhibits a highly efficient photoresponse and ideal rectifying behavior, with a maximum external quantum efficiency of~ 650%,~ 3.6 mA W− 1 at 0 V, and a light switching ratio of~ 102. The importance of the built-in pn junction with such a high performance is further confirmed by high-resolution photocurrent mapping. Due to the high photoresponse at low source-drain voltage (VDS) and gate voltage (VG), the formed MoS2/MoO3 junction pn diode shows potential applications in low-power operating photodevices and logic circuits. Our findings highlight the prospects of the local transformation of carrier type for high-performance MoS2-based electronics, optoelectronics and CMOS logic circuits.
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影响因子：
6
作者：
L. Gabette;R. Segaud;Sabrina Fadloun;X. Avale;P. Besson
通讯作者：
L. Gabette;R. Segaud;Sabrina Fadloun;X. Avale;P. Besson
DOI：
10.1016/0584-8539(94)00247-9
发表时间：
1995-07-01
影响因子：
4.4
作者：
SEGUIN, L;FIGLARZ, M;LASSEGUES, JC
通讯作者：
LASSEGUES, JC
影响因子：
9.7
作者：
Lim, June Yeong;Kim, Minju;Im, Seongil
通讯作者：
Im, Seongil
影响因子：
56.9
作者：
Britnell, L.;Ribeiro, R. M.;Novoselov, K. S.
通讯作者：
Novoselov, K. S.
影响因子：
10.8
作者：
Yijin Zhang;Jianting Ye;Yohei Yomogida;T. Takenobu;T. Takenobu;Y. Iwasa
通讯作者：
Yijin Zhang;Jianting Ye;Yohei Yomogida;T. Takenobu;T. Takenobu;Y. Iwasa