Characterization of comet-shaped defects on C-face 4H-SiC epitaxial wafers by electron microscopy
Characterization of comet-shaped defects on C-face 4H-SiC epitaxial wafers by electron microscopy
复制标题
C面4H-SiC外延片彗星状缺陷的电子显微镜表征
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kitabatake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yamashita;H. Matsuhata;T. Sekiguchi;K. Momose;H. Osawa;M. Kitabatake
4H-SiC 同质外延生长薄膜表面缺陷的深紫外显微拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Applied Physics Letters Vol.87
影响因子：
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作者：
T. Tomita;et. al.
通讯作者：
et. al.
4H-SiC同质外延薄膜表面形貌缺陷下的晶体缺陷
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Materials Science Forum Vol.457-460
影响因子：
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作者：
T. Okada;et. al.
通讯作者：
et. al.