Crystallographic defects under surface morphological defects of 4H-SiC homoepitaxial films
Crystallographic defects under surface morphological defects of 4H-SiC homoepitaxial films
复制标题
4H-SiC同质外延薄膜表面形貌缺陷下的晶体缺陷
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Okada;et. al.
Tsunenobu Kimoto：“高压 Au/6H-SiC 肖特基势垒二极管”Inst.Phys.Conf.Ser.137。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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表面缺陷对 4H– 和 6H–SiC pn 结二极管性能的影响
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00532-7
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Kimoto;N. Miyamoto;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami
4H-SiC同质外延膜表面形貌缺陷与晶体缺陷的对应关系
影响因子：
1.5
作者：
T. Okada;T. Kimoto;H. Noda;Takahiro Ebisui;H. Matsunami;F. Inoko
通讯作者：
F. Inoko