BaTa2V2O11: A novel low fired microwave dielectric ceramic
BaTa2V2O11: A novel low fired microwave dielectric ceramic
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BaTa2V2O11：一种新型低火微波介电陶瓷
DOI：
10.1016/j.jeurceramsoc.2015.04.042
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发表时间：
2015-11
影响因子：
5.7
通讯作者：
Li, Chunchun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guo, Huanhuan;Fang, Weishuang;Wei, Zhenhai;Li, Chunchun
采用传统的固相反应法制备了具有斜方结构的含Ta微波介质陶瓷BaTa2V2O11。在较低的烧结温度(∼870℃)下，获得了致密的BaTa2V2O11陶瓷。该陶瓷的品质因数(Q×f)为41,958 GHz，相对介电常数为28.2，谐振频率温度系数(τf)为91 ppm/°C。BaTa2V2O11的大正τf可以通过与Ba2BiV3O11形成复合陶瓷来补偿，0.4BaTa2V2O11-0.6Ba2BiV3O11陶瓷的ɛr∼为21.1，Q×f∼为44,760 GHz，τf∼为1.9ppm/°C。较低的烧结温度和良好的介电性能使0.4BaTa2V2O11-0.6Ba2BiV3O11成为高频应用的潜在候选材料。
A Ta-containing microwave dielectric ceramic BaTa2V2O11with rhombohedral structure was prepared using the conventional solid-state reaction method. Dense BaTa2V2O11ceramic was obtained at relatively low sintering temperatures (∼870 °C). The ceramic exhibited a high quality factor value (Q×f)of 41,958 GHz, a moderate relative permittivity of 28.2, and a temperature coefficient of the resonant frequency (τf) of 91 ppm/°C. The large positiveτfof BaTa2V2O11could be compensated by forming composite ceramics with Ba2BiV3O11, and 0.4BaTa2V2O11–0.6Ba2BiV3O11ceramic exhibited improved microwave dielectric properties withɛr∼21.1,Q×f∼44,760 GHz andτf∼1.9 ppm/°C. The low sintering temperature and favorable microwave dielectric properties make 0.4BaTa2V2O11–0.6Ba2BiV3O11as a potential candidate material for high-frequency applications.
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DOI：
10.1111/j.1151-2916.1991.tb04320.x
发表时间：
1991-05-01
影响因子：
3.9
作者：
TUMMALA, RR
通讯作者：
TUMMALA, RR
影响因子：
3.9
作者：
J. Shyu;Hsin-Hui Lee
通讯作者：
J. Shyu;Hsin-Hui Lee
影响因子：
3.9
作者：
Chia-Ruey Chang;J. Jean
通讯作者：
Chia-Ruey Chang;J. Jean
影响因子：
5.7
作者：
Jantunen, H;Rautioaho, R;Lepp채vuori, S
通讯作者：
Lepp채vuori, S
影响因子：
5.7
作者：
Atsushi Yokoi;H. Ogawa;A. Kan
通讯作者：
Atsushi Yokoi;H. Ogawa;A. Kan