Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films
Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films
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掺硫立方氮化硼薄膜的电性能
DOI：
10.1007/s11434-014-0136-6
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发表时间：
2014-01
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang X. L.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang X. W.;Yin Z. G.;Si F. T.;Gao H. L.;Liu X.;Zhang X. L.
采用离子束辅助沉积技术在Si衬底上制备了立方氮化硼（c-BN）薄膜，并对其进行了S离子注入掺杂。为了在c-BN膜中产生均匀的S离子深度分布，进行多能量的注入。离子注入引起的c-BN结晶度的轻微下降可以通过热退火恢复，保持立方相含量高达92%。在注入5 × 1014 ions cm-2的S离子并在1，173 K下退火后，c-BN薄膜的电阻从沉积态的1010Ω降低到108Ω，表明S掺杂剂的电掺杂效应。S掺杂的c-BN薄膜的电阻随着温度的升高而降低，表明半导体特性。由电阻随温度的变化关系估算出S掺杂的激活能为0.28 ± 0.01eV。
Cubic boron nitride (c-BN) thin films were deposited on Si substrates by applying ion beam assisted deposition and then doped by S ion implantation. To produce a uniform depth profile of S ions in c-BN films, the implantation was carried out for the multiple energies. A slight degradation of c-BN crystallinity resulted from ion implantation can be recovered by thermal annealing, keeping the cubic phase content as high as 92 %. The resistance reduces from 1010Ω for the as-deposited c-BN film to 108Ω after an S implantation of 5 × 1014ions cm−2and annealing at 1,173 K, suggesting an electrical doping effect of S dopant. The electrical resistance of the S-doped c-BN thin film decreases with increasing temperature, indicating semiconductor characteristics. The activation energy of S dopant is estimated to be 0.28 ± 0.01 eV from the temperature dependence of resistance.
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影响因子：
4
作者：
Lu, M;Bousetta, A;Schultz, JA
通讯作者：
Schultz, JA
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.638-642.2956
发表时间：
2010-01
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Hangsheng Yang;N. Kurebayashi;T. Yoshida
通讯作者：
Hangsheng Yang;N. Kurebayashi;T. Yoshida
影响因子：
4.1
作者：
T. Taniguchi;S. Koizumi;Kenji Watanabe;I. Sakaguchi;T. Sekiguchi;S. Yamaoka
通讯作者：
T. Taniguchi;S. Koizumi;Kenji Watanabe;I. Sakaguchi;T. Sekiguchi;S. Yamaoka
影响因子：
3.4
作者：
Kojima, K.;Nose, K.;Yoshida, T.
通讯作者：
Yoshida, T.
影响因子：
4.1
作者：
Xingwang Zhang;H. Boyen;H. Yin;P. Ziemann;F. Banhart
通讯作者：
Xingwang Zhang;H. Boyen;H. Yin;P. Ziemann;F. Banhart