High quality quantum-well intermixing for InP-based membrane photonic integration on Si
High quality quantum-well intermixing for InP-based membrane photonic integration on Si
复制标题
用于 Si 上 InP 基膜光子集成的高质量量子阱混合
DOI：
10.1109/iciprm.2014.6880550
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Arai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jieun Lee;K. Doi;T. Hiratani;D. Inoue;T. Amemiya;N. Nishiyama;S. Arai
为了实现薄膜光子集成电路，研究了一种新型的量子阱混合（QWI）工艺，该工艺使用双SiO2薄膜（O2溅射层用于增强QWI，等离子体沉积层用于表面保护）。通过优化的保护层的厚度，一个大的带隙波长偏移的差异为95 nm（57 meV），以及良好的光致发光（PL）性能（PL光谱宽度和强度没有退化），得到。此外，瞬态区长度估计为小于3 μm，这是我们的PL测量装置的分辨率极限。
To realize membrane photonic integrated circuits, a novel quantum-well-intermixing (QWI) process using dual SiO2 films (O2-sputtered layer for enhancement of QWI and plasma-deposited layer for surface protection) was investigated. By optimization of the protection layer thickness, a large bandgap wavelength shift difference of 95 nm (57 meV) as well as good photoluminescence (PL) properties (no degradations in the PL spectral width and the intensity) was obtained. Moreover, the transient region length was estimated to be less than 3 μm which is the resolution limit of our PL measurement setup.
通过苯并环丁烯晶圆键合在硅衬底上形成 CaInAsP 线波导
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Arisawa;T. Ichikawa;M. Yamaguchi;藤原徹;中村英;J.Yang;Y.Maeda
通讯作者：
Y.Maeda