Defect Evaluation of SiC Crystal Grown by Solution Method: The Study by Synchrotron X-Ray Topography and Etching Method
Defect Evaluation of SiC Crystal Grown by Solution Method: The Study by Synchrotron X-Ray Topography and Etching Method
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溶液法生长SiC晶体的缺陷评价：同步辐射X射线形貌和刻蚀法的研究
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.28
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shigeta Kozawa;Kazuaki Seki;Alexander;Yuji Yamamoto;T. Ujihara;Y. Takeda
我们使用同步加速器 X 射线形貌和热氯蚀刻通过溶液法研究了在 6H-SiC (0001) 上生长的晶体的位错行为。确认生长层中没有新形成基面位错。此外，螺旋位错（TSD）的位置发生了移位，其中一些在生长层中消失了。这种位移是由 TSD 在生长过程中弯曲引起的。
We investigated dislocation behavior in the crystal grown on 6H-SiC (0001) by solution method using synchrotron X-ray topography and thermal chlorine etching. It was confirmed that basal plane dislocation was not newly formed in the grown layer. In addition, the positions of threading screw dislocations (TSDs) were displaced and some of them disappeared in the grown layer. This displacement was caused by the bending of the TSDs during growth.
使用Na助熔剂法进行GaN单晶LPE生长过程中位错大幅减少，无需任何人工过程
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Japanese journal of applied physics (In print)
影响因子：
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作者：
K.Arakawa;et al.;小野 邦彦;F.Kawamura
通讯作者：
F.Kawamura