Quantitative study of valence and configuration interaction parameters of the Kondo semiconductors CeM2Al10 (M = Ru, Os and Fe) by means of bulk-sensitive hard X-ray photoelectron spectroscopy
Quantitative study of valence and configuration interaction parameters of the Kondo semiconductors CeM2Al10 (M = Ru, Os and Fe) by means of bulk-sensitive hard X-ray photoelectron spectroscopy
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通过体敏硬 X 射线光电子能谱定量研究近藤半导体 CeM2Al10（M = Ru、Os 和 Fe）的价态和构型相互作用参数
DOI：
10.1016/j.elspec.2015.01.004
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发表时间：
2015
影响因子：
1.9
通讯作者：
A. Severing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Strigari;M. Sundermann;Y. Muro;K. Yutani;T. Takabatake;K.-D. Tsuei;Y.F. Liao;A. Tanaka;P. Thalmeier;M.W. Haverkort;L.H. Tjeng;A. Severing
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通讯作者：
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