Sn-based type-VIII single-crystal clathrates with a large figure of merit
Sn-based type-VIII single-crystal clathrates with a large figure of merit
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具有大品质因数的锡基 VIII 型单晶包合物
DOI：
10.1088/1674-1056/21/1/017401
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发表时间：
2012
影响因子：
1.7
通讯作者：
Takabatake, T.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Deng Shu-Kang;Li De-Cong;Shen Lan-Xian;Hao Rui-Ting;Takabatake, T.
采用Sn-flux法制备了viii型Ba8Ga16−xCuxSn30 （x = 0,0.03, 0.06, 0.15）包合物单晶样品。在室温下，所有样品的载流子密度n为3.5 ~ 5 × 1019 cm−3，载流子迁移率μH增大到
Single-crystal samples of type-VIII Ba8Ga16−xCuxSn30 (x = 0, 0.03, 0.06, 0.15) clathrates were prepared using the Sn-flux method. At room temperature the carrier density, n, is 3.5–5 × 1019 cm−3 for all the samples, the carrier mobility, μH, increases to
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Koyanagi, Tsuyoshi
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A. Saramat;G. Svensson;A. Palmqvist;C. Stiewe;E. Mueller;D. Platzek;S. Williams;D. Rowe;J. D. Bryan;G. Stucky
通讯作者：
A. Saramat;G. Svensson;A. Palmqvist;C. Stiewe;E. Mueller;D. Platzek;S. Williams;D. Rowe;J. D. Bryan;G. Stucky
影响因子：
3.2
作者：
J. Li;Chun-lei Wang;Meng Wang;H. Peng;Ruizhi Zhang;M. L. Zhao;Jianjun Liu;Jianxiu Zhang;L. Mei
通讯作者：
J. Li;Chun-lei Wang;Meng Wang;H. Peng;Ruizhi Zhang;M. L. Zhao;Jianjun Liu;Jianxiu Zhang;L. Mei
影响因子：
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作者：
V. Pacheco;A. Bentien;W. Carrillo‐Cabrera;S. Paschen;F. Steglich;Y. Grin
通讯作者：
V. Pacheco;A. Bentien;W. Carrillo‐Cabrera;S. Paschen;F. Steglich;Y. Grin
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通讯作者：
G. Nolas;Joshua Cohn;J. Dyck;C. Uher;G. Lamberton;T. Tritt