Multi-stacked InAs/GaNAs quantum dots with direct Si doping for use in intermediate band solar cell
Multi-stacked InAs/GaNAs quantum dots with direct Si doping for use in intermediate band solar cell
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用于中能带太阳能电池的直接硅掺杂的多层 InAs/GaNAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Morioka;R.Oshima;A.Takata;Y.Shoji;T.Inoue;T.Kita;Y.Okada
多层堆叠InAs/GaNAs自组装量子点太阳能电池最新进展
DOI：
10.4229/24theupvsec2009-1bo.8.6
发表时间：
2009
期刊：
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影响因子：
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作者：
Y. Okada;K. Akahane;Y. Shoji;A. Takata;R. Oshima
通讯作者：
R. Oshima
Si掺杂自组织InAs量子点的光致发光和远红外吸收
影响因子：
4
作者：
J. Phillips;K. Kamath;Xiaoyu Zhou;N. Chervela;P. Bhattacharya
通讯作者：
P. Bhattacharya