The structural and electronic properties of type-I clathrates Ba8CuxGa16−xSn30 from first-principle calculations
The structural and electronic properties of type-I clathrates Ba8CuxGa16−xSn30 from first-principle calculations
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第一性原理计算的 I 型包合物 Ba8CuxGa16−xSn30 的结构和电子性质
DOI：
10.1007/s12648-012-0107-1
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发表时间：
2012
影响因子：
2
通讯作者：
H. Ruan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Li;L. Fang;S. Deng;K. Kang;W. H. Wei;H. Ruan
采用第一性原理计算研究了Cu掺杂浓度对Ba 8 CuxGa 16 − xSn 30（0 ≤x≤ 3）I型笼形化合物结构和电子性质的影响.从不含Ga-Ga键的I型笼形半导体Ba 8 Ga 16 Sn 30的稳定结构出发，我们构造了Ba 8 CuxGa 16 − xSn 30的晶胞。讨论了这些化合物的结构和电子性质的依赖关系。结果表明，Cu掺杂影响了晶格中原子与笼的相互作用，说明Cu掺杂对材料的热导率有一定的影响。结果表明，Ba_8 Ga_（16）Sn_（30）是本征半导体，但Cu掺杂导致了顶型输运特性。对Cu掺杂笼形化合物的电子结构的详细分析表明，Cu的3d电子可能同时具有巡游和定域的特征，并且价带顶附近的电子态被Cu的3d电子态所修饰. sp-d耦合增加了费米能级附近的态数，这可能导致结构的稳定性降低。
The effects of Cu–doping concentration on the structural and electronic properties of Ba8CuxGa16−xSn30(0 ≤x≤ 3) type-I clathrate compounds have been investigated by first-principle calculations. Starting with the stable structures of the type-I clathrate semiconductors Ba8Ga16Sn30containing no Ga–Ga bonds, we have constructed unit cells of Ba8CuxGa16−xSn30. The dependence of the structural and electronic properties of these compounds withxis discussed. The results reveal that the interaction between the rattler atom and the cage is affected by Cu doping, which suggests that Cu doping may play a role on the thermal conductivity. It is shown that the Ba8Ga16Sn30is an intrinsic semiconductor, but Cu doping leads top-type transport characteristics. Detailed analysis of the electronic structures for Cu-doped clathrates imply that Cu 3delectrons may display both itinerant and localized features and the electronic states near the top of the valence band are modified by the Cu 3dstates. The number of states near the Fermi level is increased by the coupling ofsp–d, which may lead to reduced stability of the structure.
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K. Suekuni;Y. Takasu;T. Hasegawa;N. Ogita;M. Udagawa;M. Avila;T. Takabatake
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M. Kozina;F. Bridges;Y. Jiang;M. Avila;K. Suekuni;T. Takabatake
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