Spectroscopy of Semiconductor Growth Intermediates

在这个项目中，在实验物理化学计划的 Clouthier的化学部门将开发灵敏的光谱 重要的活性中间体的检测和表征方法 在半导体加工中。 该方法将使用自由射流膨胀 由热解、放电或化学反应产生的中间产物 其光谱将使用激光诱导荧光（LIF）进行检查，或者 共振增强多光子电离（REMPI）。 中 研究的中间体将是锗和硅的类似物， 卤代卡宾，含铝和镓的金属有机化学品 气相沉积（MOCVD）中间体和硫卤化物自由基。 化学气相沉积和等离子体处理是使用的两种技术 用于在半导体工业中制造电子器件。 的 这项工作的光谱信息将有助于理解 这些过程，并指出了更好和更多的方法。

In this project in the Experimental Physical Chemistry Program of the Chemistry Division, Clouthier will develop sensitive spectroscopic methods for detecting and characterizing reactive intermediates important in semiconductor processing. The approach will use free-jet expansions of intermediates generated by pyrolysis, discharge, or chemical reaction whose spectra will be examined using laser-induced fluorescence (LIF) or resonance-enhanced multiphoton ionization (REMPI). Among the intermediates studied will be germanium and silicon analogues of halocarbenes, aluminum- and gallium-containing metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) intermediates, and sulfur-halide radicals. Chemical vapor deposition and plasma processing are two techniques used for manufacturing electronic devices in the semiconductor industry. The spectroscopic information from this work will aid in the understanding of these processes and point the way to better and more methods.