Niederenergetisches Elektronenmikroskop
Niederenergetisches Elektronenmikroskop
批准号:
157498576
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2010
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2009-12-31 至 --
中文摘要
“Die Beschaffung eines Low-Energy Electron Microscope(LEEM)soll der Arbeitsgruppe Oberfiächenphysik ermöglichen,ihre in den letzten Jahren erworbene Expertise und gute Ausgangsposition im费尔德der dynamischen in situ Characterisien von Prozessen der Adsorption und des epitaktischen Wachstums weiter auszubauen und für boulen in den Forschungsfeldern der Implementierung von Ge-Nanostrukturen in die Siliziumtechnologie,der Lichtemitter auf Basis breitlückiger Halbleiter und der Untersuchung der Struktur bimetallischer Oberflächen und Nanosysteme einzusetzen.最后,韦尔登将Vorteile eines LEEM gezielt eingesetzt,nämlich die Abbildung von anssten kaum zugänglichen Oberflächenphänomenen mit Videorate während der Präparation unter Nutzung versedenster and passungsfähiger Kontrastmechanismen. Das Mikroskop für das Bremer Oberflächenlabor wird es nicht努尔erlauben,die bisherigen Experimente in Umfang und Tiefe systematisch auszubauen,sondern auch auf neue attractive Forschungsgebiete auszudehnen,wie z.B. das Wachstum hochgradig geordneter GaN-Nanostäbe für optoelektronische Anwendungen und struktursensitive In-operando-Mikroskopie katalytischer Oberflächenreaktionen. Die Voraussetzungen für einen sehr erfolgreichen Einstrumen des neuen Geräts sind hervorragend,da in der Abeitsgruppe Oberflächenphysik drei promovierte Wissenschaftler mit breiter eigener Erfahrung im Einstrumen von LEEM tätig sind.“
英文摘要
„Die Beschaffung eines Low-Energy Electron Microscope (LEEM) soll der Arbeitsgruppe Oberfiächenphysik ermöglichen, ihre in den letzten Jahren erworbene Expertise und gute Ausgangsposition im Feld der dynamischen in-situ Charakterisierung von Prozessen der Adsorption und des epitaktischen Wachstums weiter auszubauen und für Studien in den Forschungsfeldern der Implementierung von Ge-Nanostrukturen in die Siliziumtechnologie, der Lichtemitter auf Basis breitlückiger Halbleiter und der Untersuchung der Struktur bimetallischer Oberflächen und Nanosysteme einzusetzen. Hierfür werden die Vorteile eines LEEM gezielt eingesetzt, nämlich die Abbildung von ansonsten kaum zugänglichen Oberflächenphänomenen mit Videorate während der Präparation unter Nutzung verschiedenster anpassungsfähiger Kontrastmechanismen. Das Mikroskop für das Bremer Oberflächenlabor wird es nicht nur erlauben, die bisherigen Experimente in Umfang und Tiefe systematisch auszubauen, sondern auch auf neue attraktive Forschungsgebiete auszudehnen, wie z.B. das Wachstum hochgradig geordneter GaN-Nanostäbe für optoelektronische Anwendungen und struktursensitive In-operando-Mikroskopie katalytischer Oberflächenreaktionen. Die Voraussetzungen für einen sehr erfolgreichen Einsatz des neuen Geräts sind hervorragend, da in der Abeitsgruppe Oberflächenphysik drei promovierte Wissenschaftler mit breiter eigener Erfahrung im Einsatz von LEEM tätig sind.“
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