Vertical Gradient Freeze-Züchtung ohne Tiegelkontakt

垂直梯度冻结（VGF-）的研究进展。verefte kentnisisence nachfolgend auch al - detached VGF¿（dVGF） bezeichnete z<e:1> chtungsmethode sind vallem f<e:1> r die Herstellung von Halbleiter-Einkristallen von Bedeutung, weil sderurch interessante Perspektiven zur Erhöhung der Kristallqualität und -ausbeute ergeben。Das Vorhaben beinhaltet grundlegende Untersuchungen zur Verringerung bzw。Vermeidung des Tiegelkontaktes im berich der Phasengrenze test - flssig and zur Stabilität des Meniskus im Prozessverlauf。水平soll后一张modifizierte dVGF-Variante麻省理工学院分离器Dampfdruckquelle verwendet了,wodurch死exakte Kontrolle des Gasdrucks im系统和死Beeinflussung der Dotierstoffkonzentration和/奥得河der Schmelzstochiometrie moglich坚持。在weiterer Forschungsschwerpunkt ist die Aufklärung des Schmelze von Verunreinigungen audie Ablösung der Schmelze von Tiegel， um zu einem grundsätzlichen Verständnis der Meniskusbildung in berich der Phasengrenze zu gelangen。[4] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [2]材料与材料的结合：Abhängigkeit与Oberflächenbeschaffenheit；die globale Modellierung des dVGF-Prozesses zur Ermittlung der optimaltischen und geometrischen参数sodie durchchfhrung von systematischen z<e:1> chtungsexperimenten einschließlich der metallografischen和elektrischen Charakterisierung der kristle。

Das Ziel des Forschungsprojektes besteht in der wissenschaftlichen Untersuchung des Vertical Gradient Freeze- (VGF-) Verfahrens ohne Tiegelkontakt. Vertiefte Kenntnisse über diese nachfolgend auch als ¿detached VGF¿ (dVGF) bezeichnete Züchtungsmethode sind vor allem für die Herstellung von Halbleiter-Einkristallen von Bedeutung, weil sich dadurch interessante Perspektiven zur Erhöhung der Kristallqualität und -ausbeute ergeben. Das Vorhaben beinhaltet grundlegende Untersuchungen zur Verringerung bzw. Vermeidung des Tiegelkontaktes im Bereich der Phasengrenze fest-flüssig und zur Stabilität des Meniskus im Prozessverlauf. Dafür soll eine modifizierte dVGF-Variante mit separater Dampfdruckquelle verwendet werden, wodurch die exakte Kontrolle des Gasdrucks im System sowie die Beeinflussung der Dotierstoffkonzentration und/oder der Schmelzstöchiometrie möglich ist. Ein weiterer Forschungsschwerpunkt ist die Aufklärung des Einflusses von Verunreinigungen auf die Ablösung der Schmelze von Tiegel, um zu einem grundsätzlichen Verständnis der Meniskusbildung im Bereich der Phasengrenze zu gelangen. Für die Untersuchungen werden u.a. Magnetfelder eingesetzt mit denen die Strömung und damit der Stofftransport in der Schmelze gezielt beeinflusst werden kann. Die Schwerpunkte des Arbeitsprogramms umfassen die Bestimmung des Kontaktwinkels zwischen verschiedenen Halbleiterschmelzen und Tiegelmaterialien in Abhängigkeit von der umgebenden Gasphase und von der Oberflächenbeschaffenheit der Tiegel, die globale Modellierung des dVGF-Prozesses zur Ermittlung der optimalen thermischen und geometrischen Parameter sowie die Durchführung von systematischen Züchtungsexperimenten einschließlich der metallografischen und elektrischen Charakterisierung der Kristalle.