Der amorph-kristallin Übergang für Oxide der vierten Hauptgruppe und kristallinem Silizium

在安文东，我们有化学、电子和结构特征的氧化物。它是一种典型的黑社会性质组织，也是一种重要的物质。在格伦茨-兹维辛和材料外星人估计的某个地方，他们被认为是最好的。在Der Halbleiterelektronik Wen Oxidfime和Schichtdicken von约0.5-10 nm处有Gegenwärtig Intensig Intensuht。在这项工程中，我们发现了硅化硅的氧化锌、硅化锂的氧化锌。这两个项目的目的是为了更好地保护我们的利益。从现在开始，我们将从同步辐射和同步辐射两个方面进行详细的分析。Wisenschaftlich soll eine Element abhängie Systematik des amorph-kristallin Struktureüber帮s and der Grizfläche untersuht den.

In der Anwendung werden Oxide wegen ihrer chemischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften häufig eingesetzt. Immer wichtiger werden dabei die Eigenschaften des Übergangs vom Oxid zum darunter liegenden Substratmaterial. Die elektronischen Eigenschaften des Übergangs werden maßgeblich von der Anordnung der Atome an der Grenze zwischen den Materialien bestimmt. In der Halbleiterelektronik werden Oxidfilme als Isolator verwendet, und Schichtdicken von ca. 0.5-10 nm werden gegenwärtig intensiv untersucht. In diesem Projekt sollen Oxide der vierten Hauptgruppe auf kristallinem Silizium präpariert und untersucht werden, konkret oxidische Filme von Siliziumcarbid, Titan, Zirkon und Hafnium auf Silizium. Vorarbeiten aus einem anderen Projekt konnten die strukturellen Eigenschaften der Grenzfläche des Übergangs vom Siliziumoxid zum Silizium zerstörungsfrei bestimmen. Vorarbeiten zu diesem Projekt zeigen erste Beugungsmuster der präparierten Filme, die detaillierte Strukturanalyse ist jedoch nur mit Synchrotronstrahlung und Vergleichsrechnungen möglich. Wissenschaftlich soll eine elementabhängige Systematik des amorph-kristallin Strukturübergangs an der Grenzfläche untersucht werden.