SBIR Phase I: Abraisve Free Chemical Mechanical Planarization (AFCMP) Process for Next Generation Copper Interconnects
SBIR Phase I: Abraisve Free Chemical Mechanical Planarization (AFCMP) Process for Next Generation Copper Interconnects
批准号:
0712037
负责人:
Abhudaya Mishra
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
2007
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
2007-07-01 至 2008-03-31
中文摘要
这项小型企业创新研究(SBIR)第一阶段项目提出了一种新型的无磨料可回收铜CMP(AFCMP)可回收工艺的发展,该工艺基于独特的专利碘化学,可在铜表面形成柔软,不溶性的碘化铜层。该层可以通过抛光垫轻轻去除,而不需要浆料中的颗粒(无磨料浆料)。此工艺与传统的CMP工艺相反,传统的CMP工艺形成硬氧化铜层(通过添加过氧化氢),需要蚀刻化学品和硬磨料(氧化铝/二氧化硅)来去除。相比之下,碘化铜层的硬度要低近一个数量级,因此可以很容易地被聚合物抛光垫去除。废水中不溶性碘化铜可通过过滤除去,化学品可循环回CMP抛光。 该项目将尝试成功演示(i)使用无磨料CMP浆料进行铜抛光以满足当前的技术要求,(ii)AFCMP浆料与下一代超低k抛光材料的兼容性,(iii)过滤能力和与滤液浆料保持一致的性能。低k互连和AFCMP的快速集成有望带来可观的利润和节能。环境友好型制造业,以及高科技工作岗位的增加。美国将成为铜低k CMP技术的领导者;美国的半导体公司将拥有当地的浆料供应商。确保美国在纳米技术上的领先地位。
英文摘要
This small business innovation research (SBIR) Phase I project proposes the developmentof a novel abrasive-free recyclable copper CMP (AFCMP) recyclable process based onan unique patented iodine chemistry which leads to the formation of a soft, insolublecopper iodide layer on the surface of the copper. This layer can be gently removed by thepolishing pad without the need for particles in the slurry (abrasive-free slurry). Thisprocess is in contrast to conventional CMP processes that forms a hard copper oxide layer(by addition of hydrogen peroxide), which require both etching chemicals and hardabrasives (alumina/silica) for removal. In contrast, the copper iodide layer possess nearlyan order of magnitude less hardness, thus can be easily removed by the polymer polishingpad. The insoluble copper-iodide in the effluents can be removed by filtration and thechemicals can be recycled back for CMP polishing. This project will attempt successful demonstration of (i) copper polishing using abrasive-freeCMP slurries to meet present technical requirements, (ii) compatibility of AFCMPslurries to next generation ultra-low k dielectrics materials, (iii) the ability to filter andobtain consistent performances with the filtrate slurries.The rapid integration of low k interconnects and AFCMP is expected to lead tosubstantial profits and energy savings. Environmental friendly manufacturing, andincrease in hi-tech jobs. US will be a leader in copper low k CMP technology; and USbased semiconductor companies will have a local slurry supplier. Ensure US leadershipin nanotechnology.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
Baryogenesis, Dark Matter and Nanohertz Gravitational Waves from a Dark
Supercooled Phase Transition
-
批准号:24ZR1429700
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:YUICHIRO NAKAI
-
依托单位:
ATLAS实验探测器Phase 2升级
-
批准号:11961141014
-
项目类别:国际(地区)合作与交流项目
-
资助金额:3350万元
-
批准年份:2019
-
负责人:刘衍文
-
依托单位:
地幔含水相Phase E的温度压力稳定区域与晶体结构研究
-
批准号:41802035
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:12.0万元
-
批准年份:2018
-
负责人:张里
-
依托单位:
基于数字增强干涉的Phase-OTDR高灵敏度定量测量技术研究
-
批准号:61675216
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:60.0万元
-
批准年份:2016
-
负责人:叶青
-
依托单位:
基于Phase-type分布的多状态系统可靠性模型研究
-
批准号:71501183
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:17.4万元
-
批准年份:2015
-
负责人:陈童
-
依托单位:
纳米(I-Phase+α-Mg)准共晶的临界半固态形成条件及生长机制
-
批准号:51201142
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:25.0万元
-
批准年份:2012
-
负责人:张英波
-
依托单位:
连续Phase-Type分布数据拟合方法及其应用研究
-
批准号:11101428
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:23.0万元
-
批准年份:2011
-
负责人:黄卓
-
依托单位:
D-Phase准晶体的电子行为各向异性的研究
-
批准号:19374069
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:6.4万元
-
批准年份:1993
-
负责人:张殿琳
-
依托单位: