Organische Dünnschichtdielektrika für high-performance OFETs

Zur Erweiterung des Bisher anvisierten EinsatzgebietesBauelemente für低成本、低性能的Anwendungen es unabdingbar，Organche Feldeffekt晶体管(OFETS)zu entwickeln，die be Spannungen≤5V Betrieben wen den Knnnen。Ausgehend vom Aufbau Query vernetzter聚合共混物是一种新型的聚合物。在30-50 nm的激光照射下，我们将不再需要更多的帮助。Besondere Herosforderungen liegen in der Erzielung Kleiner Oberflächenrauigkeiten(≤2 nm)，Hoher Durchschlagsfestigkeiten(&gt；1 mV/cm)and der gezielten Einstellung von p-und n-kanal-leitung in OFETs duch Chemische and/oder Physikalische Funktionalisierung des Dielektriktrikum.

Zur Erweiterung des bisher anvisierten Einsatzgebietes organischer Bauelemente für low-cost, low-performance Anwendungen ist es unabdingbar, organische Feldeffekttransistoren (OFETs) zu entwickeln, die bei Spannungen ≤ 5 V betrieben werden können. Ausgehend vom Aufbau quervernetzter Polymerblends sollen funktionalisierbare Dünnschichtisolatoren für Feldeffekttransistoren entwickelt und hinsichtlich ihrer Schicht- und Grenzflächeneigenschaften, sowie der elektrischen Eigenschaften der organischen Bauelemente charakterisiert werden. Die angestrebten Schichtdicken sollen im Bereich von 30 - 50 nm liegen, um niedrige Betriebsspannungen zu erreichen. Besondere Herausforderungen liegen in der Erzielung kleiner Oberflächenrauigkeiten (≤ 2 nm), hoher Durchschlagsfestigkeiten (> 1 MV/cm) und der gezielten Einstellung von p- und n-Kanal-Leitung in OFETs durch chemische und/ oder physikalische Funktionalisierung des Dielektrikums.