Streak-Kamera-System

这是一种特殊的技术，是一种新的技术。Dazu dienen，Insbeondere soll das system dazu dienen，OptoElectrktronische Eigenschaften，D.H.拉东斯特尔盖勒本斯多恩，冯·克拉西森三至五代Halbleitern，Verdünten Nitriden，Materien für die Photoelektrokatalyse and Nano Strucucturierten III-V Halbleitern zu verMessen。Des weiteren wird angestret，das streak-Kamera-system MIT Dm vorhandenen 4-Spitzen-RasterTunelmikroskop zu kombinieren，um so einen einzigartigen estentellen zuang zu den opElectrktronischen Eigenschaften von Nano strukturierten Halbletern，insbeondere III-V Halbletern zu schaffen.这是一种新的材料和技术，这是一种光致发光的信号系统，不能被任何人发现。所有的材料系统都是这样的，这是一种很难理解的东西，因为它是一种特殊的材料。Day Streak-Kamera wird ebenfall für Optimale Empfindlichkeit im sichtbaren wie aeh nahen infraroten Spektralbereich konfiguriert.

Das zu beschaffende Gerät soll spektroskopische Messungen an einer Vielzahl von Materialsystemen ermöglichen. Insbesondere soll das System dazu dienen, optoelektronische Eigenschaften, d.h. insbesondere Ladungsträgerlebensdauern, von klassischen III-V Halbleitern, verdünnten Nitriden, Materialien für die Photoelektrokatalyse und nanostrukturierten III-V Halbleitern zu vermessen. Des Weiteren wird angestrebt, das Streak-Kamera-System mit dem vorhandenen 4-Spitzen- Rastertunnelmikroskop zu kombinieren, um so einen einzigartigen experimentellen Zugang zu den optoelektronischen Eigenschaften von nanostrukturierten Halbleitern, insbesondere III-V Halbleitern zu schaffen. Aufgrund der kurzen Ladungsträgerlebensdauer ist für die Weiterentwicklung der neuen Materialien die Vermessung mit dem hier beantragten Streak-Kamera-System, das Photolumineszenzsignale im Bereich bis hinunter zu 1 ps detektieren kann, notwendig. Als Anregungsquelle wird, um alle genannten Materialsysteme adressieren zu können, ein durchstimmbarer Laser vorgesehen, der einen großen Teil des sichtbaren und nahen infraroten Spektralbereichs abdeckt. Die Streak- Kamera wird ebenfalls für optimale Empfindlichkeit im sichtbaren wie auch nahen infraroten Spektralbereich konfiguriert.