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Atomistische Simulation der Selbstorganisation bei der Ionenstrahlerosion

Atomistische Simulation der Selbstorganisation bei der Ionenstrahlerosion
离子束腐蚀自组织的原子模拟
批准号:
47714725
负责人:
Dr. Karl-Heinz Heinig
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Units
财政年份:
2007
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2006-12-31 至 2013-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
德国的机械师和计算机模拟的工程师被认为是物理模型和计算机模拟的基础。在实验的基础上,我们将在P2中找到一种新的方法。企业项目P2-P5中的基本要素P2-P5是一个重要的理论基础,它的三个问题是什么?它是多国企业的一个重要组成部分。在不对称的情况下,我们在P10和P2项目中得到了很好的支持。Für höhere Ionenenergien führt die unmetmetrische Rück sttoüleerstellenvertilung zu einem Massestrom Glättongswirkung,is MIT Neuen TriimkMC-SimulationsProgramm unteruen Neuen Trimkponenten-Tratalysierende Wirkung kleinster Metallkonzenter End Der katalytische Machismus der Metallkonzzten Oberfläplächenstrukturierung wwird in P3-P5 Examentell Unsusuterter and solterterl in P2 dhch Modellierung Multitoprenten-TratalykMC-Computerationen Simulationen P2)Met Neuen Neuen TrimkMC-Simulations Program unsum Neuen Neuen Triimkpoenten-Tratalysierende Wirkung kleinster Metallkonzentum Oberflächenstrukturnung wwwngen Wirkung klester Metallkonzonzenten Der katalytische Machismmus de Metallatalytische Machismus de Metallkonkonzzten Oberfl-Plächenstrenstru Turierung Win P3-P3-P5 einentell and Solutertero l in P2.Die TRIMkMC-Methode erlabt die Beschreibung der Phasenbildung/-Separation von Metall/Silicid/Halbleiter and Deren Rück kopplung auf die Ionenstrahlsaf die.在Zusammenarbeit MIT P4中,SiOx-BZW和SiOx-BZW中的SiOx-Phasenbildung和SiOx-BZW中的SiOx-BZW和SiOx-BZW中的SiOx-BZW.Sinx-Phasenbildung和SiOx-BZW中的Six-Phasenbildung和SiOx-BZW中的SiOx-Phasenbildung和SiOx-BZW中的SiOx-BZW和SiOx-BZW中的SiOx-BZW-Six-Phasenbildung和SiOx-BZW.Six-Phasenbildung-Phasenbildung De MIT Do+-Unn N+-Ionen MIT der TrimkMC-Methode unsude.3在此基础上,我们将采用5%Iger Volumenänderung and Bio-Separation,Ein Simulations s Programm wird Entwickelt and MIT Teilprojekt P9überprüft。
英文摘要
Die dominierenden Mechanismen der Musterbildung durch Ionenerosion von Oberflächen elementarer Halbleiter sollen durch physikalische Modellierungen und atomistische Computersimulationen aufgeklärt werden. Die millionenfache Berechnung atomistischer Stoßkaskaden und der nachfolgenden atomaren Relaxationen erfolgt auf experimentellen Raum- und Zeitskalen, wobei erstmalig die in unserem Vorgängerprojekt P2 entwickelte TRIMkMC-Methode umfassend zum Einsatz kommen soll. Basierend auf den Ergebnissen der Forschergruppe in den alten Teilprojekten P2-P5 werden die theoretischen Untersuchungen auf 3 Probleme fokussiert, die jeweils im Sinne eines Multiskalenansatzes gemeinsam mit den anderen theoretischen Projekten P1 und P10 eine Aufklärung erfahren sollen: 1) Glättende Wirkung ionenstrahl-induzierter hangabwärts gerichteter MasseströmeDie glättende Wirkung der Ionen bei nahezu senkrechtem Einfall wurde wegen der Musterbildungs-katalysierenden Wirkung kleinster Metallkontaminationen in der ersten Förderperiode erst spät erkannt und deshalb unzureichend untersucht. Bei kleinen Ionenenergien bilden sich asymmetrische Einschlagkrater mit hangabwärts erhöhtem Masseauswurf, welche in P10 berechnet und in vorliegendem Projekt P2 als Eingangsdaten für kinetische Monte-Carlo (kMC) Simulationen verwendet werden. Für höhere Ionenenergien führt die asymmetrische Rückstoßatom- und Leerstellenverteilung zu einem Massestrom mit Glättungswirkung, was mit dem neuen TRIMkMC-Simulationsprogramm untersucht werden soll.2) Musterbildungs-katalysierende Wirkung kleinster MetallkonzentrationenDer katalytische Mechanismus der Metallatom-gestützten Oberflächenstrukturierung wird in P3-P5 experimentell untersucht und soll in P2 durch Modellierung und atomistische Multikomponenten-TRIMkMC-Computersimulationen aufgeklärt werden. Die TRIMkMC-Methode erlaubt die Beschreibung der Phasenbildung/-separation von Metall/Silicid/Halbleiter und deren Rückkopplung auf die Ionenstrahlerosion. In Zusammenarbeit mit P4 sollen die Muster- und SiOx- bzw. SiNx-Phasenbildung bei der Erosion mit O+- und N+-Ionen mit der TRIMkMC-Methode untersucht werden.3) Ge-Oberflächenmuster mit superschweren ClusterionenDie neuen Phänomene der ausgeprägten Ge-Oberflächenmuster mit superschweren Bi3-Clusterionen in P9 sollen modelliert und simuliert werden. Das Musterbildungsmodell basierend auf kleinsten kurzzeitigen Ge-Schmelzen mit 5%iger Volumenänderung und Bi-Segregation wird ausgebaut, ein Simulationsprogramm wird entwickelt und mit Teilprojekt P9 überprüft.
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Theoretische Untersuchungen zu Wachstum, Stabilität und Funktionalität von Nanodrähten
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Simulation and certification of the ground state of many-body systems on quantum simulators
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    --
  • 资助金额:
    40万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    Abolfazl Bayat
  • 依托单位: