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Investigations of Lattice Dynamical Properties in Filled Skutterudite Compounds

Investigations of Lattice Dynamical Properties in Filled Skutterudite Compounds
填充方钴矿化合物中晶格动力学性质的研究
批准号:
15072205
负责人:
UDAGAWA Masayuki
金额:
$84.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2007

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
充填スクッテダイトのみならず,I型クラスレートやβ-パイロクロアなどの一連のカゴ状化合物についてのラマン散乱測定から,大きなカゴに中の小さなゲスト原子は大振幅の振動であり,これが4次の非調和項によることを実験的に明らかにした。また,カゴ自身もゲスト原子の運動で大きく歪むことがROs4Sb12で得られた。また,熱電材料の無次元性能指数ZTが1に近い実用可能な物質もスクッテルダイトやクラスレートで発見した。特に,高性能熱電性能には,ゲスト原子の非中心位置での回転運動が重要であることを初めて解明した。
英文摘要
充填スクッテダイトのみならず,I型クラスレートやβ-パイロクロアなどの一連のカゴ状化合物についてのラマン散乱測定から,大きなカゴに中の小さなゲスト原子は大振幅の振動であり,これが4次の非調和項によることを実験的に明らかにした。また,カゴ自身もゲスト原子の運動で大きく歪むことがROs4Sb12で得られた。また,熱電材料の無次元性能指数ZTが1に近い実用可能な物質もスクッテルダイトやクラスレートで発見した。特に,高性能熱電性能には,ゲスト原子の非中心位置での回転運動が重要であることを初めて解明した。
期刊论文(165)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
High-resolution photoemission study of the temperature-dependent c-f hybridization gap in the Kondo semiconductor YbB_12
近藤半导体 YbB_12 中随温度变化的 c-f 杂化带隙的高分辨率光电研究
DOI: --
发表时间: 2006
期刊: Phys. Rev. B 73
影响因子: --
作者: [D.A.Tayurskii, K.Matsumoto, Y.Takeda]
通讯作者: Y.Takeda
Raman Scattering Study of Guest Ion Motion in Cage Compounds
笼状化合物中客体离子运动的拉曼散射研究
DOI: --
发表时间: 2008
期刊: Journal of Physical Society of Japan 77 Suppl.A
影响因子: --
作者: [M.Udagawa, T.Hasegawa, Y.Takasu, N.Ogita, K.Suekuni, M.A.Avila, T.Takabatake, Y.Ishikawa, N.Takeda, Y.Nemoto, T.Goto, H.Sugawara, D.Kikuchi, H.Sato, C.Sekine, I.Shirotani, J.Yamaura, Y.Nagao, Z.Hiroi]
通讯作者: Z.Hiroi
Probing glasslike excitations in single-crystalline Sr_8Ga_<16>Ge_<30> by specific heat and thermal conductivity
通过比热和导热系数探测单晶 Sr_8Ga_<16>Ge_<30> 中的玻璃态激发
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: J.Phys.Soc.Jpn. 74
影响因子: --
作者: [梅尾, 高畠 他3名]
通讯作者: 高畠 他3名
Raman Scattering Study of Filled Skutterudite Compounds
填充方钴矿化合物的拉曼散射研究
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Journal of Physics: Conference Series 92
影响因子: --
作者: [Y.Aoki, H.Sugawara, H.Harima, H.Sato, N.Ogita]
通讯作者: N.Ogita
共 67 条
    Raman scattering study on Kondo semiconductors of CeRhSb and CeNiSn.
    • 批准号:
      09640437
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.05万
    • 财政年份:
      1997
    • 负责人:
      UDAGAWA Masayuki
    • 依托单位:
    Raman Scattering Study of Fermi-degenerated Liquid ^3He
    • 批准号:
      63540275
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.28万
    • 财政年份:
      1988
    • 负责人:
      UDAGAWA Masayuki
    • 依托单位: