Magnetische Vielfach-Resonanz-Untersuchungen an substratfreien GaAs- und AlGaAs-Niedertemperatur-MBE-Schichten
Magnetische Vielfach-Resonanz-Untersuchungen an substratfreien GaAs- und AlGaAs-Niedertemperatur-MBE-Schichten
批准号:
5101126
负责人:
Professor Dr. Johann-Martin Spaeth
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1998
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1997-12-31 至 2001-12-31
中文摘要
Don von教授和Mitarbeitern(Universityät Erlangen)zur Verfügung手势“低温”(LT)MIT Molekularstrahlepiaxie(MBE)gewachsenen约0.5微米Diken GaAs和AlGaAs-Schichten,以及持久的剥离技术和衬底技术,Sollen weiterhin MIT optisch detektierter elektronenparagnetischer Resonanz unterauthht den。在原生的Schichten和nach Tempern gebrht中的部分定义,在DEM Spektralen Verlaf des Magischen Zirkulardichroismus der吸收(MCDA)中的部分内容,DEM的自旋-Gitter-Relaxationszeit和Dm paragnetischen and Diamagnetischen de MCDA bEmerkbar Machen Machen。他说:“我知道这是一件很重要的事情。MIT MCDA-detektierter Elektronen-Kern-DorpelResonz(Endor)Be 94 GHz(W-Band)Fortgesetzt Wur Zur Weiteren Strukturaufklärung der ASGA-artigen defekte.在伪偶极子的情况下,W波段是错误的。这是一个非常重要的问题,因为这是一个非常重要的问题。
英文摘要
Die von Prof. Döhler und Mitarbeitern (Universität Erlangen) zur Verfügung gestellten "low temperature" (LT) mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsenen ca. 0,5 µm dicken GaAs und AlGaAs-Schichten, welche durch eine Lift-off Technik substratfrei sind, sollen weiterhin mit optisch detektierter elektronenparamagnetischer Resonanz untersucht werden. Die bisherigen Messungen haben Evidenz für unterschiedliche Arsen-antisite (AsGa)-artige Defekte in as-grown Schichten und nach Tempern gebracht, wobei sich die Unterschiede in dem spektralen Verlauf des magnetischen Zirkulardichroismus der Absorption (MCDA), der Spin-Gitter-Relaxationszeit und dem paramagnetischen und diamagnetischen Anteil des MCDA bemerkbar machen. Der MCDA konnte weit über die Bandkantenenergie hinaus bis tief ins Leitungsband hinein gemessen werden. Die Untersuchungen sollen mit MCDA-detektierter Elektronen-Kern-Doppelresonanz (ENDOR) bei 94 GHz (W-Band) fortgesetzt werden zur weiteren Strukturaufklärung der AsGa-artigen Defekte. W-Band ist erforderlich zur Unterdrückung der pseudo-dipolaren Kopplungseffekte. Weiterhin sollen noch mehrere Temperschritte und Temperzwischenschritte zur genaueren Korrelation mit dem Leitfähigkeitsverhalten nach Tempern (Universität Erlangen) untersucht werden.
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