High field ESR and electron/nuclear double resonance on electron systems dominated by exchange, especially on electrons in semiconductor nanostructures

纳米结构半导体（量子膜、量子线、量子点、异质结构）是一种通过直接磁共振方法进行实际分析的方法。信号从Leitungselektronen（Leitungslöcher）和flachen Donatoren/Akzeptoren unterscheiden sich untereinander努尔wenig im g-Faktor（z.B.努尔Dg 10-4 bei Si），因此，daerobic bei tiefen Frequenzen die Untermountede innerhalb der Linienbreiten verborgen bleiben.用Si/Si 1-y、Si 1-xGex/Si 1-yGey等量子薄膜系统对韦尔登工程进行了研究。Für die Erweiterung auf Elektron/Kerndoppelresonanz-Verfahren（Overhauser-/Knight-Shift für austauschverschmälerte Elektronensysteme）sind die experimentellen Voraussetzungen zum Teil schon geschaffen沃登。这种解决方案和ESR-和Doppelresonanzmethoden的量子结构的III/V-和II/VI Halbleiterbereich的韦尔登。碎片分析：自旋信号的定量测定（和damit z.B. der Fermienergien），quantitative g-Faktor-Analyse hoher Präzision und Analyse der Spindynamik（Linienbreiten，Relaxationszeiten）.因此，磁共振是一种确定纳米结构半导体系统电子特性的方法。

Nanostrukturierte Halbleiter (Quantenfilme, Quantendrähte, Quantenpunkte, Heterostrukturen) sind mangels Empfindlichkeit bisher einer Analyse durch direkte magnetische Resonazmethoden praktisch nicht zugänglich. Die Signale von Leitungselektronen (Leitungslöcher) und flachen Donatoren/Akzeptoren unterscheiden sich untereinander nur wenig im g-Faktor (z.B. nur Dg 10-4 bei Si), so daß bei tiefen Frequenzen die Unterschiede innerhalb der Linienbreiten verborgen bleiben. Im Rahmen des beantragten Projektes werden solche Untersuchungen an vorhandenen Quantenfilmsystemen wie Si/Si1-y, Si1-xGex/Si1-yGey weitergeführt. Für die Erweiterung auf Elektron/Kerndoppelresonanz-Verfahren (Overhauser-/Knight-Shift für austauschverschmälerte Elektronensysteme) sind die experimentellen Voraussetzungen zum Teil schon geschaffen worden. Diese sollen ausgebaut und die ESR- und Doppelresonanzmethoden auf Quantenstrukturen aus dem III/V- und II/VI-Halbleiterbereich erweitert werden. Fragestellungen sind: Zuordnung der Spinsignale, quantitative Bestimmung der Suszeptibilitäten (und damit z.B. der Fermienergien), quantitative g-Faktor-Analyse hoher Präzision und Analyse der Spindynamik (Linienbreiten, Relaxationszeiten). Ziel ist, die magnetische Resonanz als weitere ergänzende Methode zur Charakterisierung der elektronischen Eigenschaften von nanostrukturierten Halbleitersystemen zu etablieren.