Sulfidic photochemical passivation of III-V semi-conductors in alcoholic solutions

三、五、德雷格尔的Halbleitern Weisen和Oberfläche eine Hohe Dichte an elektronischen Zuständen auf.在米克罗莱克特罗尼克，这座城市正面临着巨大的挑战。Für GaAs-Oberflächen ergibt die Passivierung in Sulfid-Lösungen eine deutliche Verbeserung der Electrktronischen Eigenschaften.(NH_4)_2S-L先生从L先生那里学到了更多的东西。我们对L的工作很感兴趣，也不会对他的工作产生任何影响。在此基础上，我们进行了一系列的实验研究。这些都是我们的实验和理论所不能理解的，也是我们所不能接受的。在此基础上，给出了最佳的光化学参数。在光化学和光化学的基础上，我们得到了肖特基的特征和信息的支持，这是一种光化学方法。

III-V Halbleitern weisen in der Regel an ihrer Oberfläche eine hohe Dichte an elektronischen Zuständen auf. Die möglichen Anwendungen vor allem in der Mikroelektronik werden dadurch eingeschränkt. Für GaAs-Oberflächen ergibt die Passivierung in Sulfid-Lösungen eine deutliche Verbesserung der elektronischen Eigenschaften. Grundlage dieses Antrages sind unsere experimentellen Ergebnisse, die zeigen, daß die elektronischen Eigenschaften der passivierten GaAs-Oberfläche bei Behandlung mit Na2S- bzw. (NH4)2S-Lösung sehr stark vom verwendeten Lösungsmittel abhängen. Wir konnten nachweisen, daß die Passivierung mit abnehmender Dielektrizitätskonstante des Lösungsmittels deutlich besser und dauerhafter wird. Durch Beleuchtung des GaAs während der Behandlung kann der Passivierungseffekt erheblich beschleunigt werden. Ziel des beantragten Vorhabens ist es, durch weiterführende experimentelle und theoretische Untersuchungen ein grundlegendes Verständnis der Passivierungsvorgänge, insbesondere auch bei Beleuchtung, zu erreichen. Auf der Basis der dabei gewonnenen Erkenntnisse sollen die Parameter bei der photochemischen Passivierung optimiert werden. Als weiteres Ziel wird eine Verbesserung der elektronischen Charakteristik von Schottky-Dioden und MIS-Strukturen auf GaAs-Basis durch Anwendung der photochemischen Passivierung der GaAs-Oberfläche angestrebt.