Künstliche Lateralstrukturen in Multischichtsystemen

Der forschungsgegenist die k<s:1> nstliche横向结构turierung von Multischichtsystemen交替金属-镍金属多schichtsystem， wie sie mittels MOCVD Verfahren在Projekt 2 Der mittels PVD Verfahren hergestellt werden。Die so resultierenden nanostrukturierten Röntgenspiegel sind von gros ßer Bedeutung f<e:1> r Die euv lithography in Bereichen der Nanoelektronik and nanomtismus oder f<e:2> r diffraction Röntgenoptiken。研究项目：a)横向结构动力学与多结构系统动力学研究进展Ionenätzen RIE；b)超高压光栅的横向纳米结构的研究与特性。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]in Unterprojekt II sollen die Arbeiten zum STM-Schreiben in selbst - organisieret Monolagen weiter ausgebaut werden sowie complex struckturen mittels laserunterst<s:1> tztem STMSchreiben direckt in Goldschichten ingesschebenwerden。

Der Forschungsgegenstand ist die künstliche Lateralstrukturierung von Multischichtsystemen aus alternierenden Metall-Nichtmetallmultischichten, wie sie mittels MOCVD Verfahren wie in Projekt 2 oder mittels PVD Verfahren hergestellt werden. Die so resultierenden nanostrukturierten Röntgenspiegel sind von großer Bedeutung für die EUV-Lithographie in Bereichen der Nanoelektronik und Nanomagnetismus oder für diffraktive Röntgenoptiken. Das Projekt gliedert sich in zwei Unterprojekte:a) Herstellung von lateralstrukturierten Multischichtsystemen mittels reaktivem Ionenätzen RIE; b) Schreiben und Charakterisierung von lateralen Nanostrukturen mit UHV-Rastersondenverfahren.Im Bereich des reaktiven Ionenätzens an Metall-Silizium-Multischichten sollen durch Ausnutzen von Seitenwandpassivierung, Substratkühlung und Prozeßoptimierung die Strukturgenauigkeit des Übertrags der lithographischen Nanostrukturen weiter optimiert werden.Im Unterprojekt II sollen die Arbeiten zum STM-Schreiben in selbstorganisierte molekulare Monolagen weiter ausgebaut werden sowie komplexe Strukturen mittels laserunterstütztem STMSchreiben direkt in Goldschichten eingeschrieben werden.