Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler Ladungsträgersysteme auf (100) und (110) GaAs Oberflächen

Ziel dieses Vorhabens ist die Optimierung der Beweglichkeiten von zweidimensionen Ladungsträgersystemen auf unterschedlichen GaAs-Oberflächen。1 . Damit soll die Basis geschaffen werden， höchstbewegliche电子科学研究中心<e:1>量子霍尔效应研究标准（100）Oberfläche研究中心<e:1>项目研究中心。Die Erhöhung der Elektronenbeweglichkeiten könnte aber auch zu neuen Effekten im Bereich niedriger dich and hoher magnenetfelder, wie z.B. der weigner结晶，fhren。Auf vizinalen Oberflächen soll untersucht werden， ob das krzlich gefundene and bisher nicht verstandene各向异性Verhalten des zweidimensionalen Elektronengases in höheren Landauniveaus durch strukturelle各向异性verursacht wind。desweinteren ist eineoptimierung der Elektronenbeweglichkeiten auf (110) Oberflächen fbr das Wachstum auf Spaltflächen geplant, wobei eine k<s:1> nstliche各向异性im ersten wachstsschritt gezielt eingebracht werden kann。Auf (311) Oberflächen ist die Realisierung hochbeweglicher Löcherkanäle geplant，其中wechbeweglicher在westentlicher Aspekt中被称为Untersuchung der Anisotropieeigenschaften aufgrund von strukturellen oder intrinsischen bandstructureigenschaften ist。

Ziel dieses Vorhabens ist die Optimierung der Beweglichkeiten von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen auf unterschiedlichen GaAs-Oberflächen. Damit soll die Basis geschaffen werden, höchstbewegliche Elektronenschichten für Untersuchungen zum fraktionalen Quanten-Hall-Effekt auf der Standard (100) Oberfläche auch für andere Projekte im Schwerpunkt bereitzustellen. Die Erhöhung der Elektronenbeweglichkeiten könnte aber auch zu neuen Effekten im Bereich niedriger Dichte und hoher Magnetfelder, wie z.B. der Wignerkristallisation, führen. Auf vizinalen Oberflächen soll untersucht werden, ob das kürzlich gefundene und bisher nicht verstandene anisotrope Verhalten des zweidimensionalen Elektronengases in höheren Landauniveaus durch strukturelle Anisotropien verursacht wird. Desweiteren ist eine Optimierung der Elektronenbeweglichkeiten auf (110) Oberflächen für das Wachstum auf Spaltflächen geplant, wobei eine künstliche Anisotropie im ersten Wachstumsschritt gezielt eingebracht werden kann. Auf (311) Oberflächen ist die Realisierung hochbeweglicher Löcherkanäle geplant, wobei ein wesentlicher Aspekt auch hier die Untersuchung der Anisotropieeigenschaften aufgrund von strukturellen oder intrinsischen Bandstruktureigenschaften ist.