Tunneln zwischen senkrecht aufeinander stehenden Elektronenkanälen

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Ziel dieses Vorhabens ist die Untersuchung des Tunnelverhaltens zwischen zwei senkrecht aufeinanderstehenden, hochbeweglichen zweidimensionalen Elektronensystemen. Je nach angelegter Magnetfeldrichtung und -stärke kann dabei Tunneln zwischen unterschiedlichen Quanten-Hall-Zuständen und fraktionalen Quanten-Hall-Zuständen untersucht werden. Senkrecht aufeinanderstehende zweidimensionale Elektronensysteme können durch die Methode des Überwachsens von Spaltflächen mit hoher Qualität realisiert werden. Mit einer speziellen Molekularstrahlepitaxieanlage ist es am Walter Schottky Institut in den letzten Jahren gelungen, hochbewegliche Elektronensysteme sowohl auf (100) GaAs Oberflächen (µ größer 10 Mio cm²/Vs) als auch auf (110) Spaltflächen (µ größer 2 Mio cm²/Vs) zu realisieren. Dies eröffnet die Möglichkeit grundlagenorientierte Messungen zum Quanten-Hall-Effekt (QHE) und zum fraktionalen Quanten-Hall-Effekt (FQHE) an vollkommen neuartigen Probenstrukturen und Probengeometrien durchzuführen.