Tunneln zwischen senkrecht aufeinander stehenden Elektronenkanälen

这两种形式的前体是两种形式的隧道垂直探测，两种形式的电子系统。我可以用磁场和电流来测量隧道内的量子霍尔-祖斯顿和量子霍尔-祖斯顿韦尔登。Senkrecht aufeinanderstehende zweidimensionale Elektronensysteme können durch die Method des Überwachsens von Spaltflächen mit hoher Qualität realisiert韦尔登.沃尔特·萧特基研究所最近几年提出了一种新的分子束散射测量方法，即在（100）GaAs Oberflächen（μ größer 10 Mio cm²/Vs）上实现高电子系统，也在（110）Spaltflächen（μ größer 2 Mio cm ²/Vs）上实现高电子系统。这是一种基于量子霍尔效应（QHE）和量子霍尔效应（FSHE）的Möglichkeit grundlagenorientierte Messungen方法，可以通过测量获得最新的Probenstrukturen和Probengeometrien。

Ziel dieses Vorhabens ist die Untersuchung des Tunnelverhaltens zwischen zwei senkrecht aufeinanderstehenden, hochbeweglichen zweidimensionalen Elektronensystemen. Je nach angelegter Magnetfeldrichtung und -stärke kann dabei Tunneln zwischen unterschiedlichen Quanten-Hall-Zuständen und fraktionalen Quanten-Hall-Zuständen untersucht werden. Senkrecht aufeinanderstehende zweidimensionale Elektronensysteme können durch die Methode des Überwachsens von Spaltflächen mit hoher Qualität realisiert werden. Mit einer speziellen Molekularstrahlepitaxieanlage ist es am Walter Schottky Institut in den letzten Jahren gelungen, hochbewegliche Elektronensysteme sowohl auf (100) GaAs Oberflächen (µ größer 10 Mio cm²/Vs) als auch auf (110) Spaltflächen (µ größer 2 Mio cm²/Vs) zu realisieren. Dies eröffnet die Möglichkeit grundlagenorientierte Messungen zum Quanten-Hall-Effekt (QHE) und zum fraktionalen Quanten-Hall-Effekt (FQHE) an vollkommen neuartigen Probenstrukturen und Probengeometrien durchzuführen.