Fabrication, characterization, and optimization of Al/As heterostructures for QHE experiments

因此，与fraktionale QHE一样，GHE也是一个非常重要的研究领域，但它也是一个非常重要的世界卫生组织。QHE-Effekt的实验是在两个维度的实验中进行的。AlAs/GaAs异质结调制技术是目前最好的激光器系统。在QHE实验中的AlAs/GaAs异质结材料和MBE中的Schwerpunktes的Teilprojekten中，它们在实验中的应用是韦尔登和特殊的韦尔登。Schichtstrukturen和Wachstumsparameters sollen optimiert韦尔登，um die erforderliche Probenqualität，insbesondere höchstmögliche Elektronenbeweglichkeiten bei tiefen Temperaturen，zu erreichen。这将是令人不安的，Proben mit niedrigen Elektronenetten herzustellen，um auch kleine Füllfaktoren ohne extreme hohe Magnetfelder erreichen zu können。另一个Schwerpunkt是在3”衬底上对AlAs/GaAs-Heterostrukturen进行大幅度调制的方法，它通过霍尔-探针对QHE的不变性进行了测量。

Sowohl der ganzzahlige wie auch der fraktionale QHE sind seit ihrer Entdeckung Gegenstand intensivster Forschung, wobei aber trotz weltweiter Anstrengungen noch zahlreiche Fragen zu klären sind. Experimente zum QHE-Effekt erfordern auf das jeweilige Experiment abgestimmte zweidimensionale Ladungsträgersysteme hoher Qualität. Solche Ladungsträgersysteme lassen sich am besten in modulationsdotierten AlAs/GaAs-Heterostrukturen realisieren. In dem hier vorgeschlagenen Vorhaben sollen AlAs/GaAs-Heterostrukturen für QHE-Experimente in anderen Teilprojekten des Schwerpunktes mittels MBE hergestellt werden und speziell auf die Erfordernisse dieser Experimente angepaßt werden. Die Schichtstrukturen und Wachstumsparameter sollen optimiert werden, um die erforderliche Probenqualität, insbesondere höchstmögliche Elektronenbeweglichkeiten bei tiefen Temperaturen, zu erreichen. Es wird insbesondere angestrebt, Proben mit niedrigen Elektronendichten herzustellen, um auch kleine Füllfaktoren ohne extrem hohe Magnetfelder erreichen zu können. Einen weiteren Schwerpunkt soll die Herstellung großflächiger modulationsdotierter AlAs/GaAs-Heterostrukturen auf vollen 3"-Substrate bilden, um mit großen Hall-Proben die Invarianz des QHE gegen die lateralen Probenabmessungen zu überprüfen.