Spannungskompensierte (In,Ga)As-Strukturen für Lichtemitter auf der Basis von Intersubband-Übergängen

在Halbleiter-Heterostrukturen 中，单极研究的Aspekte erforschung Lichtemittern basierend auf Intersubband-Übergängen: Erstens das epitaktische Wachsen von spannungskompensierten Strukturen unter Verwendung von Gas-Quellen-Molekularstrahlepitaxie, zweitens小型化的电子运输实验是在小型激光结构中进行的，其设计和光学特性是激光结构的基础，并与德国 Forschergruppe durchgeführt werden 的实验项目相一致。两个材料系统用于制备内部项目：生成 (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP 和 (In,Ga)As/(In,Ga)P auf GaAs。交通运输的主要技术是运输温暖和高电子技术的研究，位于迷你班的基础上。激光功能和特性是主要用于实验的基础上的结构。

Dieses Projekt behandelt drei Aspekte der Erforschung von unipolaren Lichtemittern basierend auf Intersubband-Übergängen in Halbleiter-Heterostrukturen: Erstens das epitaktische Wachsen von spannungskompensierten Strukturen unter Verwendung von Gas-Quellen-Molekularstrahlepitaxie, zweitens die experimentelle Untersuchung des elektronischen Transports in Minibändern von spannungskompensierten Übergittern und drittens die Herstellung und optische Charakterisierung vollständiger Laserstrukturen, die in Zusammenarbeit mit den anderen experimentellen Projekten der Forschergruppe durchgeführt werden. Zwei Materialsysteme sind für die Präparation innerhalb dieses Projektes vorgesehen: spannungskompensiertes (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP und (In,Ga)As/(In,Ga)P auf GaAs. Die primäre Zielstellung für die Transportuntersuchungen ist das Studium des Transports warmer und heißer Elektronen in den Minibändern spannungskompensierter Übergitter. Funktionsfähige Laser werden hergestellt und charakterisiert, um primär die für die experimentellen Untersuchungen erforderlichen Strukturen zur Verfügung zu stellen.