Massensensitive Dünnschichtscherwellenresonatoren basierend auf neuartigen, MOVPE gewachsenen, Piezoelektrischen GaN Schichten

这是一件非常重要的事情，因为这是一件非常重要的事情，因为它是一件非常简单的事情，它是一件非常重要的事情。在横向Schwingende Resonatorschicht是中性点的压电材料异质元素集，这是他们的外延是Wachstumsverfahren Heregellen。Für die Erforschung eines控制横向极化的质量敏感度，以及最大的共振器的最小温度、最小温度、最小最小温度、最小最小温度以及最大最小温度之间的关系，以及最小和最小温度、最小和最小温度、最小温度和最小温度的共振器，以及最大和最小的共振器。这是一个新的过程，它反映了格伦茨和格伦茨的观点，并传递了许多材料。在移动电话公司的移动通信系统中，所有的高频频段和高频带通滤光器都在移动电话网络上运行。

Das Vorhaben zielt auf die Erforschung von IC kompatiblen, miniaturisierten und hochsensitiven elektro-akustischen Dünnschichtresonatoren, welche auch in fluider Umgebung eingesetzt werden können. Für eine rein transversal schwingende Resonatorschicht werden neuartige piezoelektrische Materialien eingesetzt, die mit einem speziellen epitaktischen Wachstumsverfahren hergestellt werden. Für die Erforschung eines rein transversal polarisierten massensensitiven Resonators mit hoher Sensitivität und maximaler Güte bei minimaler Querempfindlichkeit gegenüber Temperatur, werden neue, an die Transversalschwingung angepasste Konzepte für die Wahl und Abfolge der eingesetzten Materialien, für das dreidimensionale Layout der Resonatorschichten und für die Unterdrückung parasitärer Moden untersucht. Gemeinsam werden bestehende Bearbeitungsprozesse auf ihre Anwendbarkeit bei den neuen Materialien untersucht und gegebenenfalls neue Prozesse etabliert, um eine hohe akustische Reflektion an Grenz- und Oberflächen und Transmission im Materialvolumen zu erzielen. Die bei dem Vorhaben angestrebten Ergebnisse können auch von großem Interesse werden für das Wachstum von GaN-Licht-emittern auf unpolaren Oberflächen sowie, im Fall des Wachstums auf metallisierten Si-Oberflächen, für die Anwendung im preiswerten Lichtemittersegment und für HF-Bandpassfilter im Mobilfunk.